圣达微波烘干 多晶硅

高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的*IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的*VA族元素，形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二管、三管、晶闸管、场效应管和各种集成电路（包括人们计算机内的芯片和CPU）都是用硅做的原材料。
铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定，电阻率优值为0.02 ~0.05 Ω•cm，对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是，硼在硅中的分凝系数为0.8，会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应，即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布，并导致电阻率由铸锭底部到**部逐渐减小。

通过原材料的筛选、长晶工艺的控制及退火工艺，实现多晶硅靶材原料的高纯度、稳定电阻率、均匀晶粒，并配套完善的检验检测手段以及加工工艺的优化，将多晶硅溅射靶材材料的品质稳定性控制到。

新材料的产品广泛应用于半导体显示、半导体芯片、光伏太阳能、低辐射玻璃、光学光通讯、装饰镀工具镀等行业。公司经过多年努力，成功获得行业客户和**的认可，积累了一批稳定的行业客户，包括日久光电、 蓝思科技、芜湖长信、信利光电、镀邦光电  、伯恩光学等。

铸造长晶工艺，是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量，来实现液态硅从底部开始，逐渐向**部的定向凝固，凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中，可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应，实现大多数金属元素的提纯，并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。
介质材料由性分子和非性分子组成，在电磁场作用下，这些性分子从原来的随机分布状态转向按照电场的性排列取向。在高频电磁作用下，这些取向按交变电磁场的变化而变化，这一过程致使分子的运动和相互磨擦从而产生热量。此时交变电磁场的场能转化为介质内的热动能，使介质温度不断升高，这就是微波加热的基本原理。
由此可见微波加热是介质材料自身损耗电场能量而发热，对于导电的金属材料，电波不能透入内部而被反射，金属材料不能吸收微波。介质材料，因其介质电常数εr和介质损耗角正切值tgδ不同，在微波电磁场作用下效果也不一样。
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